去年11月，高通預告了將要推出的最新芯片驍龍835將採用10nm工藝，將會比前代旗艦產品有27％的性能提升，但功耗下降了40％。

日期，這顆將要在CES正式發布的芯片的詳細規格也被外媒曝光，它將採用4x2.45GHz大核，4x1.9GHz小核八核心設計，大小核均為Kryo280架構，GPU為Adreno 540，支持4K屏，UFS 2.1，雙攝以及LPDDR4x四通道內存，整合了Cat.16基帶。支持Quick Charge 4.0快速充電技術，基於三星10nm FinFET工藝打造。

值得注意的是，Kyro280架構的使用，對VR的支持也提升了20％以上，Adreno 540 GPU則提升了25％的4K視頻播放效率，在充電方面，QuickCharge 4.0能實現充電五分鐘，提供5小時15分鐘內將設備的電量充到50％，內置了INOV技術相比於Quick Charge 3.0，其充電速度提升20％，充電效率提升30％。

高通每次推出旗艦芯片，哪家手機廠商能夠拿到首發也成立大家關注的問題，根據之前的消息，三星S8將成為首發產品，2017年3月正式推出，但後來由於10nm工藝導致供應鏈方面的問題，三星可能會發佈時間推到4月。

但在4月前，有消息表明小米6將在今年2月發布，搭載的就是高通835芯片，另外LG也有在第一季度發布自家新旗艦手機LG G6的計劃，同樣會採用高通最新的芯片。

另外一方面，近日魅族剛剛跟高通達成和解，按照他們過去發布手機的頻率，在第一季度推出最新旗艦也不是沒有可能。

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